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第三代半导体功率模组封装设备：银烧结与铜烧结技术的效率与可靠性博弈

摘要

本报告聚焦车规级SiC功率模块封装领域，围绕银烧结与铜烧结两种无压/加压烧结设备的技术路线展开深度趋势预测，研究周期为2024—2030年。核心判断是：未来五年内，银烧结仍将主导高端可靠性市场，但铜烧结设备凭借成本优势将在中低端市场加速渗透，烧结层空洞率控制将从依赖工艺经验转向基于物理模型与在线光学检测的闭环智能调控。

报告预测，到2027年，全球烧结设备市场规模将突破8.5亿美元，无压烧结设备占比将超过60%。在空洞率控制方面，铜烧结的平均空洞率将由2024年的3.5%–5.0%降至2030年的1.5%以下，逐步逼近银烧结当前水平。全篇遵循“环境→现状→趋势→演进→预测→影响→建议”的逻辑，首先扫描宏观政策与产业驱动因素，进而剖析竞争格局，并系统研判铜代银、无压代加压、检测智能化三大高确定性趋势。随后通过情景推演给出量化预测，最后针对设备商和模块厂提出方向选择与能力建设建议。

第一章报告概述

1.1研究背景与目标

当前，800V高压平台已成为新能源汽车的主流架构，碳化硅功率模块渗透率快速攀升，这对封装互连层提出了载流能力更强、耐温更高、散热更优的严苛要求。传统焊料互连在熔点、热导率及高温可靠性上已逼近物理极限，烧结银技术凭借其高熔点、高导电导热特性，率先成为车规级SiC模块的标配互连方