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半导体工艺扩散原理与仿真模型.pdfVIP

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  • 2026-09-14 发布于北京
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半导体工艺扩散原理与仿真模型.pdf

    EEE533:SemiconductorDeviceand

    ProcessSimulation

    Spring2001

    IntroductiontoSilvacoATHENATooland

    BasicConceptsinProcessModeling

    Part-2

    Instructor:DragicaVasika

    DepartmentofElectricalEngineering

    ArizonaStateUniversity

    EEE533SemiconductorDeviceandProcessSimulation

    3.

    扩散工艺描述

    扩散工艺是集成电路制造中的一个主要步骤。

    扩散工艺具有以下典型特征：

    温度：900°C

    至

    1300°C

    扩散类型：选择性及

    n非选择性

    扩散杂质总量：由固溶度极限决定

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