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离子注入工艺专业试题及详细答案

适用范围：半导体制造工艺、微电子工艺岗位考核、专业课程测试

考试时长：90分钟

满分：100分

一、填空题（每空2分，共20分）

1、离子注入是利用_________将带电杂质离子加速后，注入半导体晶圆表层，改变晶圆电学性能的掺杂工艺。

2、离子注入工艺中，核心两大关键参数为_________和_________，分别决定掺杂深度与掺杂浓度。

3、半导体掺杂常用的硼离子属于_________型杂质，磷、砷离子属于_________型杂质。

4、离子注入过程中，离子与晶圆晶格原子碰撞会产生_________损伤，需通过_________工艺修复晶格、激活杂质。

5、为避免晶圆表面沟道效应，常规离子注入前会对晶圆进行_________处理，破坏表层晶格规整性。

6、离子注入机中，_________的作用是筛选特定质量、电荷的离子，剔除杂质离子和无用离子束。

二、单项选择题（每题3分，共30分）

1、相比于高温热扩散掺杂，离子注入最核心的优势是（）

A、工艺温度更高B、掺杂精度可控、重复性好C、设备成本更低D、掺杂深度更深

2、下列哪种杂质离子常用于PMOS器件的源漏区掺杂（）

A、磷离子B、硼离子C、砷离子D、锑离子

3、离子注入的加速电压越高，对应的掺杂特性是（）

A、深度越深B、浓度越高C、均匀性越好