IEC 63275-22022 半导体器件.碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性试验方法.第2部分由体二极管操作引起的双极退化的试验方法标准立项发展报告.docxVIP

半导体器件碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性试验方法第2部分：由体二极管操作引起的双极退化的试验方法标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:Semiconductordevices-Reliabilitytestmethodforsiliconcarbidediscretemetal-oxidesemiconductorfieldeffecttransistors-Part2:Testmethodforbipolardegradationduetobodydiodeoperation

摘要

随着以碳化硅（SiC）为代表的第三代宽禁带半导体材料在新能源汽车、光伏逆变器、智能电网及轨道交通等领域的规模化应用，SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的可靠性与长期稳定性已成为制约其进一步推广的关键瓶颈。其中，由体二极管双极导通引发的双极退化效应，是SiCMOSFET区别于传统硅基器件的最主要失效机理之一，直接影响器件在实际电路中的使用寿命与系统安全。为统一全球范围内对该失效模式的评价方法与试验条件，国际电工委员会（IEC）于2022年5月正式发布了IEC63275-2:2022标准，系统规定了SiC分立MOSFET体二极管操作引起双极退化的可靠性试验方法