集成电路用铝工艺干法刻蚀后清洗液标准立项发展报告
StandardizationDevelopmentReport:CleaningSolutionforPost-Dry-EtchAluminumProcessinIntegratedCircuits
摘要
随着新能源汽车、工业控制、射频通信和电源管理等领域需求持续扩张,以铝互连工艺为基础的模拟和功率集成电路在全球范围内保持旺盛需求,半导体制造对专用湿电子化学品的依赖程度亦不断提高。集成电路中铝金属层的干法刻蚀普遍采用氯基等离子体工艺,刻蚀后图形表面会残留含氯聚合物、铝的氧化物/氯化物以及部分钝化层反应产物,若清洗不充分
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