CN119521683A 一种降低SiCMOS器件界面态密度的方法及MOS电容 （上海交通大学）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119521683A

(43)申请公布日2025.02.25

(21)申请号202411579559.4

(22)申请日2024.11.07

(71)申请人上海交通大学

地址200240上海市闵行区东川路800号

(72)发明人李秀妍孟俊豪司梦维

(74)专利代理机构上海恒慧知识产权代理事务

所(特殊普通合伙)31317

专利代理师禹雪平

(51)Int.Cl.

H10D1/66(2025.01)

权利要求书1页说明书5页附图3页

(54)发明名称

一种降低SiC-MOS器件界面态密度的方法及

MOS电容

(5