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光电技术试卷及详解

一、单项选择题（共10题，每题1分，共10分）

以下现象属于典型外光电效应的是

A.光电倍增管阴极受光照后向外发射光电子

B.硫化镉光敏电阻受光照后电导率明显上升

C.硅光电池受光照后两端产生开路电动势

D.反向偏置的光电二极管受光照后回路电流增大

答案：A

解析：外光电效应的核心特征是光子激发的电子逸出材料表面，只有A选项符合该定义。剩余三个选项描述的现象都发生在材料内部，属于内光电效应的不同分支：B是光电导效应，C和D属于光生伏特效应范畴，因此均不符合外光电效应的定义。

以下光电探测器中，响应速度最快的是

A.光敏电阻

B.光电倍增管

C.光电二极管

D.光电池

答案：B

解析：光电倍增管的光电子在真空中迁移，几乎无半导体载流子复合拖尾效应，响应速度远高于其余三类半导体探测器。其余选项中，光敏电阻响应速度最慢，光电二极管次之，光电池受结电容限制响应速度慢于同规格光电二极管。

光电探测器的响应率参数表征的核心能力是

A.探测器对微弱光信号的探测极限

B.探测器输出信号与输入光功率的比值

C.探测器能够响应的入射光波长范围

D.探测器输出信号随入射光频率变化的特性

答案：B

解析：响应率的定义就是探测器的输出电信号幅值与入射光功率的比值，直接反映器件的光-电转换效率。A选项对应的参数是探测率，C选项对应的参数是光谱响应范围，D选项对应的参