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N沟道200V 62A PowerTrench MOSFET特性与应用.pdfVIP

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  • 2026-09-16 发布于北京
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N沟道200V 62A PowerTrench MOSFET特性与应用.pdf

    2013年3月

    FDP2614N沟道

    PowerTrench®

    MOSFET

    200

    V，62

    A，27

    mΩ

    特性概述

    •RDS(导通)

    =22.9

    mΩ（典型值）@

    VGS

    =10V，ID

    =31A这种N沟道MOSFET采用Fairchild

    Semicon‑

    ductor®的先进

    •快速开关速度PowerTrench®工艺，该工艺经过定制以降低导通状态电阻，同

    时保持优异的开关性能。

    •低栅极电荷

    •高性能沟槽技术，实现极低的RDS(导通电阻)应用

    •消费类电器

    •高功率

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