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台积电笔试题半导体

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题

1.在本征半导体中，当温度升高时，下列哪个选项是正确的？

A.电子和空穴的数量都增加

B.电子和空穴的数量都减少

C.电子数量增加，空穴数量减少

D.电子数量减少，空穴数量增加

2.PN结在正向偏置时，下列哪个描述是正确的？

A.阻挡电流流动

B.形成很宽的耗尽区

C.耗尽区宽度减小，多数载流子注入对方区域

D.耗尽区宽度增加，少数载流子难以通过

3.对于N型半导体，下列哪个选项正确描述了掺杂原子（如磷）的作用？

A.提供空穴作为多数载流子

B.提供电子作为少数载流子

C.提供电子作为多数载流子，其价电子数为4

D.消耗原有的电子，增加空穴数量

4.MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的导电通路主要依赖于哪个区域的电荷？

A.PN结区域

B.阱区（Well）

C.沟道（Channel）

D.栅极氧化层

5.当MOSFET的栅极电压低于阈值电压时，以下哪种状态会出现？

A.导通状态，电流在源极和漏极之间流动

B.关断状态，几乎没有电流在源极和漏极之间流动

C