非金属建材行业研究_光刻胶七问七答_聚焦半导体核心部件与材料（二）_12页_1mb.pptxVIP

光刻胶为晶圆制造核心材料，受益于AI浪潮需求景气向上。光刻胶是一类对光或其他辐射敏感的高分子材料，经曝光、显影和蚀刻等工序将掩膜版上的图形转移到薄膜上，形成与掩膜版完全对应的几何图形。按光源波长，半导体光刻胶可分为g线（436nm）、i线（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）及EUV（13.5nm），价值量与技术壁垒依次提升：g/i线主要用于功率器件、模拟芯片、MCU等成熟制程；KrF覆盖0.11μm至90nm节点；ArF覆盖90nm至7nm节点，是先进逻辑和存储芯片量产的主力光刻胶；EUV用于7nm及以下先进制程。根据彤程新材招股说明书（援引弗若斯特沙利文数据），2024年我国半导体光刻胶市场规模约56亿元，预计2026年达81亿元、2029年增至115亿元，2024-2029年CAGR约15.5%，增量主要来自ArF与KrF胶。全球供给格局高度集中，日本厂商占据主导，国内高端产品依赖进口。2025年前六大半导体光刻胶生产商合计占据全球约83.91%的市场份额，核心玩家包括东京应化TOK、JSR、信越化学、富士胶片、住友化学等。需求端，我国是全球最大的光刻胶消费市场，2025年占35.14%的份额；供给端，日本占全球53.87%的生产份额。2025M1-M9我国半导体光刻