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电子元器件的发展

1新型肖特基势垒器封装结构

随着电子产品的简化和便捷性的需求加，芯片体积的不断扩大已经成为电子设备发展的

方向，同时也提高了产品的可靠性。

本文介绍一种新型封装的肖特基二极管的制造技术，该产品的关键技术是晶圆级封装

W（LP）技术，即在圆片的生产过程中使用磷穿透工艺，将分立器件相对两个表面的电极引

到同一面上，使芯片能够直接使用在整机中，减少了晶粒的封装过程。该工艺技术将引领

分立器件晶圆级封装W（LP）产品的发展，将是半导体器件行业发展的必然趋势。使月该

工艺有助于降低材料消耗、缩短制造流程

2ds2c封装材料

DSN-2D（ualSiliconNo-Lcad双硅片无引脚）封装的肖特基势垒二极管是一种新型的肖

特基整流二极管，产品的正、负两极做在芯■的同一平面上；相比釉线、贴封等封装形式

具有体积小、封装电容小、压降小、功耗低;抗干扰能力、抗噪性能强、有较好的散热性

能等特点。其正向开启电压低、反向饱和电流小、开关速度快等优点，使该产品在生产工

艺流片完成后可以直接用于整机中，减小成品的总尺寸，且省去了器件封装过程，势垒区

的有效面积得到了提高。采用这种设计结构，使导通期间器件的功耗更低，漏电流低。

DSN2封装产品与其他封装产品的体积比较如图1所示。

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