SJT 12209-2026 电子级(3，3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴 标准立项发展报告.docx

电子级(3，3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴标准立项发展报告

EnglishTitle:StandardizationDevelopmentReport:ElectronicGrade(3,3-Dimethyl-1-butyne)HexacarbonylDicobalt

摘要

随着集成电路制程不断向先进节点演进，钴及钴合金薄膜因具有优异的抗电迁移能力、良好的台阶覆盖性和较低的电阻率，已成为先进逻辑器件和存储器件中阻挡层、粘附层及互连材料的重要选择。电子级(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴作为金属有机化学气相沉积（MOCVD）和原子层沉积（ALD）工艺中制备钴薄膜的关键前