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半导体工艺工程师面试题目及答案

半导体工艺工程师面试题及答案

1.请阐述14nm及以下FinFET制程中，浅沟槽隔离（STI）的关键工艺步骤和工艺窗口管控难点

答案：完整工艺步骤分为6个串联环节：一是在裸Si衬底表面先生长1.5nm厚的缓冲氧化层，再沉积12nm厚的SiN硬掩模层，二者的应力差控制在50MPa以内，避免后续Fin成型过程中出现晶格位错；二是采用ArF浸没式光刻定义STI沟槽图形，沟槽目标深度350nm，宽度控制在45nm以内；三是采用Cl2/HBr/O2混合气体的高深宽比RIE工艺刻蚀沟槽，要求侧壁轮廓垂直度达到89°±0.3°，沟槽底部圆角曲率半径小于3nm；四是采用原位掺