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半导体工程师面试真题及解析

半导体器件物理类面试真题及解析

1.真题：请解释MOSFET的短沟道效应具体包含哪些子效应，说明其对器件电学特性的影响，以及当前业界量产中常用的抑制方案

解析：短沟道效应是指当MOSFET的沟道长度缩小到与源漏两侧耗尽区总宽度处于同一量级时，源漏端电场对沟道区域电势的调控占比超过栅极电场的现象，全系列子效应可分为五类：一是阈值电压滚降（VthRoll-off），随着沟道长度缩短，原本由栅极耗尽区电荷支撑的阈值电压分量占比下降，Vth随沟长缩小持续降低，实测180nm逻辑工艺下沟道长度从200nm缩到150nm时，Vth会下降80~120mV，极端情况下会导致关态