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硅光芯片的耦合封装的光纤阵列与硅波导的端面耦合效率优化设计

摘要

硅光芯片凭借高带宽、低功耗的优势，已成为数据中心与高性能计算互连的核心技术路线。

然而，光纤阵列与硅波导之间的端面耦合损耗，始终是制约硅光模块实用化的关键瓶颈。

硅波导亚微米级模场直径与单模光纤约10微米模场直径的严重失配，导致直接耦合损耗高达10dB以上，难以满足系统链路预算。

本设计以降低耦合损耗至1dB以下为目标，提出倒锥形模斑转换器与折射率匹配胶协同优化的方案。

论文从需求分析出发，明确耦合效率、工艺容差与带宽等量化指标，随后完成总体方案设计与详细参数设计，利用时域有限差分法进行三维电磁仿真验证。

通过梯度折射率匹配胶与双级倒锥波导的联合优化，最终在1550nm波长处实现耦合损耗0.78dB，1dB带宽覆盖85nm，并在±1.5μm对准容差范围内保持损耗低于1.5dB。

本设计为硅光芯片与光纤阵列的低损耗耦合封装提供了可工程化的设计方法，对推动硅光集成器件的实用化具有重要参考价值。

第一章绪论

1.1研究背景

随着云计算、人工智能与5G通信的迅猛发展，数据中心的流量呈指数级增长，电互连在带宽密度、能耗与信号完整性方面的瓶颈日益凸显。

硅光集成技术利用成熟的CMOS工艺平台，在同一硅基衬底上实现调制器、探测器、波分复用器等多种光子器件，具备高密度集成与低成本量产的潜力。

然而，硅光芯片并非