SJT 12070-2025 半导体器件 分立器件 碳化硅二极管可靠性试验方法标准立项发展报告.docxVIP

半导体器件分立器件碳化硅二极管可靠性试验方法标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:SemiconductorDevices-DiscreteDevices-ReliabilityTestMethodsforSiliconCarbideDiodes

摘要

随着第三代半导体材料碳化硅（SiC）在新能源汽车、光伏发电、轨道交通等领域的广泛应用，碳化硅二极管作为核心功率器件，其可靠性问题日益受到行业关注。然而，国内此前缺乏针对碳化硅二极管可靠性的统一试验方法标准，导致产品评价口径不一、质量参差不齐。本标准（SJ/T12070-2025）由行业标准-电子发布，规定了碳化硅二极管可靠性试验的术语和定义、试验条件、试验方法及失效判据，涵盖高温反偏、高温栅偏、温度循环、功率循环、雪崩耐量等关键试验项目。本标准的制定填补了国内碳化硅二极管可靠性试验方法标准的空白，为器件设计验证、产品选型和质量评估提供了统一的技术依据，对促进我国第三代半导体产业高质量发展具有重要意义。本标准于2025年12月19日发布，将于2026年7月1日正式实施。

关键词

碳化硅二极管；可靠性试验；分立器件；标准化；高温反偏；功率循环；第三代半导体

Keywords:SiliconCarbideDiode;ReliabilityTest