硅材料电池原理与制造考试重点解析.pdfVIP

2、举例说明晶体缺陷主要类型。

晶体缺陷主要包含有以下四种，分别为：点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷

点缺陷：弗伦克尔缺陷、肖特基缺陷

线缺陷：位错(棱位错、刃位错、螺旋位错)

面缺陷：层错（外延层错、热氧化层错）

空穴对产生非平衡载流子非平衡载流子破坏原来的热平衡非平衡载流子在内建电场作用下n区空穴向p区扩散p区电子向n区扩散若pn结开路在结的两边积累电子空穴对产生开路电压简述硅太阳能电池工作原理当拥有等于或者大于硅材料禁带宽度的光子照射到硅材料上在

4、简述光生伏特效应。

1）用能量等于或大于禁带宽度的光子照射p-n结；

2）p、n区都产生电子—空穴对，产生非平衡载流子；

3）非平衡载流子破坏原来的热平衡；

4）非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；

5）若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对,产生开路电压。

5、简述硅太阳能电池工作原理。

当拥有等于或者大于硅材料禁带宽度的光子照射到硅材料上，在价带上的电子吸收这个光子

的能量，跃迁到导帶上，并且在价带上留下一个空穴。即是在禁带两端产生了电子—空穴对。

而硅电池本身即为一个PN结，产生的电子—空穴对即是注入的非平衡载流