CN119095375A 半导体结构及其形成方法 （长鑫科技集团股份有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119095375A

(43)申请公布日2024.12.06

(21)申请号202411559807.9

(22)申请日2024.11.04

(71)申请人长鑫科技集团股份有限公司

地址230601安徽省合肥市经济技术开发

区空港工业园兴业大道388号

(72)发明人曹堪宇高王荣王凌翔

(51)Int.Cl.

H10B12/00(2023.01)

权利要求书3页说明书12页附图22页

(54)发明名称

半导体结构及其形成方法

(57)摘要

一种半导体结构及其形成方法，该半导体结

构的形成方法包括：提供衬底，衬底包括依次邻

接的存储区域和边界