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2026年最新电子工程基础考试真题及答案解析

一、填空题（每空1分，共20分）

采用p-GaN栅结构的增强型GaNHEMT器件，常温下典型阈值电压范围为1.2V~1.8V，当栅源电压_阈值电压时器件沟道夹断进入关断状态；跨导g?作为表征器件栅压对漏极电流调控能力的核心参数，其数学表达式为_；在650V耐压等级下，同电流容量的GaNHEMT导通电阻较硅基CoolMOS器件低____个数量级，是高密度快充、光伏微逆变器的核心功率器件。

一阶RC低通滤波电路的截止频率f_c=1/(2πRC)，当输入信号频率为10f_c时，电路对该信号的幅值衰减倍数为_，输出信号相较于输入信号的相位滞后量为_；若将该电路用于物联网节点的模拟信号抗混叠滤波，要求对10倍截止频率以上的干扰信号衰减量不低于40dB，则至少需要____阶相同结构的巴特沃斯低通滤波器级联。

采用1.8V供电电压的CMOS反相器，其PMOS管阈值电压为-0.45V，NMOS管阈值电压为0.42V，当输入电压为0.9V时，PMOS工作在_区，NMOS工作在_区，此时反相器的静态功耗____（选填“大于”“等于”“小于”）输入为逻辑0或逻辑1时的静态功耗。

线性时不变系统的单位冲激响应h(t)=(e(-2t)-e(-5t))u(t)，则该系统的系统函数H(s)=____，频率响应函数存在的条件是系统_，该系统对输入信号为2cos(3