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（共168页PPT）第一章常用半导体器件.ppt

（共168页PPT）第一章常用半导体器件.ppt

    *uGS对iD的影响：uGS↑→沟道宽度↑→iD↑当uDS↑→uGD=UGS(th)时，D端反型层消失，沟道被夹断，称为预夹断（因S端未被夹断）； N+N+PdgsuGSBuDSiDN+N+PdgsuGSBuDS预夹断后，uDS↑，夹断长度↑，uDS增加的电压大部分落在夹断区，沟道上电压几乎不↑，故iD基本不↑，呈饱和性。iD*2．特性曲线与电流方程输出特性曲线与结型类似，分为三个区。不同之处在于UGS(th)0。转移特性曲线与结型形状类似，但在第一象限，因UGS(th)0。IDOiDuGSUGS(th)O2UGS(th

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