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2026年半导体二极管试题及答案

一、填空题（每题2分，共20分）

1.半导体二极管的基本结构是由______和______组成。

2.当半导体二极管正向偏置时，其正向压降在硅材料中约为______伏特。

3.半导体二极管反向偏置时的电流称为______，通常非常小。

4.半导体二极管的伏安特性曲线可以分为______区和______区。

5.半导体二极管的主要参数包括最大整流电流、最高反向工作电压和______。

6.半导体二极管在电路中主要起到______和______的作用。

7.半导体二极管的PN结在正向偏置时，其耗尽层______。

8.半导体二极管的PN结在反向偏置时，其耗尽层______。

9.半导体二极管的电容效应包括______电容和势垒电容。

10.半导体二极管的热稳定性主要受______和______的影响。

二、判断题（每题2分，共20分）

1.半导体二极管正向偏置时，其电阻很小，电流很容易通过。（）

2.半导体二极管反向偏置时，其电阻很大，电流几乎不通过。（）

3.半导体二极管的伏安特性曲线是非线性的。（）

4.半导体二极管的主要参数不包括最大整流电流。（）

5.半导体二极管的PN结在正向偏置时，其耗尽层变宽。（）

6.半导体二极管的PN结在反向偏置时，其耗尽层变窄。（）

7.半导体二极管的电容效应包括扩散