先进逻辑芯片顺序工艺中基于气相化学的干法清洗技术替代湿法趋势分析.docxVIP

PAGE2

先进逻辑芯片顺序工艺中基于气相化学的干法清洗技术替代湿法趋势分析

全局数据规范：全篇所有量化数据须标注来源与时间口径；历史数据须真实可溯，预测性数据须注明推断依据与关键假设；多采用表格呈现数据与对比信息。

本报告说明

随着先进逻辑芯片制程向3纳米及以下节点演进，顺序工艺（如SADP/SAQP及GAA架构）对晶圆表面洁净度的要求达到了前所未有的严苛程度。传统湿法清洗技术在极小特征尺寸下面临毛细管力导致的图案倒塌、液体残留以及高表面张力带来的渗透受限等物理瓶颈。本报告聚焦于基于气相化学的干法清洗技术，特别是NF3/NH3远程等离子体（RemotePlasma）清洗技术，评估其在