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半导体化学机械抛光作业规程

第一章总则

为确保半导体制造过程中化学机械抛光（CMP）工艺的稳定性、重复性与安全性，提升晶圆表面全局平坦化质量，保障设备与人员安全，特制定本作业规程。本规程适用于所有涉及CMP工艺的生产、维护及工艺开发活动，所有相关人员必须严格遵守。CMP工艺是通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用，实现晶圆表面不同材料（如氧化物、金属、多晶硅等）高效、均匀去除，并达到纳米级表面粗糙度与极高平整度的关键制程。其作业质量直接影响到后续光刻、薄膜沉积等工序的良率与器件性能。

作业人员需牢固树立“质量第一、安全为本、预防为主”的理念，深刻理解CMP工艺在半导体产业链中的核心地位。任何违反本