CN119050123A 多尺寸沟槽的制备方法、背照式图像传感器及其制备方法 (晶芯成(北京)科技有限公司).pdfVIP

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  • 2026-09-22 发布于重庆
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CN119050123A 多尺寸沟槽的制备方法、背照式图像传感器及其制备方法 (晶芯成(北京)科技有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119050123A

(43)申请公布日2024.11.29

(21)申请号202411536894.6

(22)申请日2024.10.31

(71)申请人晶芯成(北京)科技有限公司

地址100176北京市大兴区北京经济技术

开发区科创十三街29号院一区2号楼

13层1302-C54

申请人合肥晶合集成电路股份有限公司

(72)发明人陈兴

(74)专利代理机构北京维昊知识产权代理事务

所(普通合伙)11804

专利代理师陈姗姗

(51)Int.Cl.

H01L27/146(2006.01)

权利

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