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SEMIM93-2024中文版碳化硅基面位错密度测试方法

SEMIM93-2024《碳化硅基面位错密度测试方法》是全球第三代半导体产业4H-SiC碳化硅衬底、外延片基面位错（BPD）精准量化、缺陷定级、来料验收、制程质控、良率溯源的核心权威测试标准，由国际半导体设备与材料协会（SEMI）2024年度完成正式迭代发布，全面替代旧版测试规范，成为当前碳化硅晶圆量产、器件制造、第三方检测的唯一通用基准测试方法。区别于传统碳化硅微观缺陷检测标准，SEMIM93-2024专属聚焦基面位错（BasalPlaneDislocation,BPD）这一碳化硅器件致命缺陷，标准化定义基于X射线衍射形貌/成像（XRT/XRDI）的高精度测试原理、设备参数、取样规则、测试流程、缺陷识别、密度计算、数据校准与结果判定体系，彻底解决行业BPD测试方法不统一、数据不可对标、定级口径混乱、抽检随机性大的核心痛点。

4H-SiC作为高压功率器件、车载半导体、光伏逆变、储能功率模块的核心衬底材料，其基面位错（BPD）是制约器件可靠性与寿命的头号晶格缺陷。相较于贯穿螺位错（TSD）、贯穿刃位错（TED），BPD处于晶体基面滑移面内，极易在外延生长、器件工艺热应力作用下发生滑移、增殖、转化，诱导产生堆垛层错，直接导致功率器件反向漏电流增大、耐压衰减、动态性能漂移、长期可靠性失效，是碳化硅器件批量失效、可