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600V MOSFET技术特性与应用分析.pdfVIP

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  • 2026-09-23 发布于北京
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600V MOSFET技术特性与应用分析.pdf

    2013年12月

    FCH104N60FN沟道

    SuperFET®

    II

    FRFET®

    MOSFET

    600

    V，37

    A，104

    m

    特性描述

    •650V

    在

    TJ

    =150°C®

    SuperFETII

    MOSFET

    是

    Fairchild

    Semiconductor

    新一代高压

    •典型

    RDS(on)

    =98m超结（SJ）MOSFET

    系列，采用了电荷平衡技术，以实现出色

    的低导通电阻

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