GBT 11073-2025 硅片径向电阻率变化测量方法标准立项发展报告.docxVIP

*

硅片径向电阻率变化测量方法标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:TestMethodforRadialResistivityVariationofSiliconWafers

摘要

随着集成电路制造工艺向3纳米及以下技术节点演进，硅片作为芯片制造的核心衬底材料，其电学性能的均匀性直接决定了器件良率与可靠性。径向电阻率变化是评价硅片掺杂均匀性和晶体质量的关键参数。现行标准GB/T11073-2025《硅片径向电阻率变化测量方法》于2025年10月31日发布，2026年5月1日正式实施，替代了沿用近二十年的旧版标准。本次修订引入了四探针法与涡流法相结合的测量体系，拓展了适用范围至300mm大尺寸硅片及外延片，优化了测量点布局方案与数据处理算法，显著提升了测量结果的代表性与重复性。本报告系统阐述了该标准的立项背景、修订技术内容、主要参与单位贡献及实施意义，旨在为半导体材料检测领域的技术人员与管理人员提供参考。

关键词：硅片；径向电阻率变化；四探针法；涡流法；标准化；半导体材料；电阻率均匀性

Keywords:Siliconwafer;Radialresistivityvariation;Four-pointprobemethod;Eddycurrentmethod;Standardizat