GBT 47097-2026 氮化铝单晶抛光片 标准立项发展报告.docxVIP

氮化铝单晶抛光片标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:PolishedMonocrystallineAluminumNitrideWafers

摘要

氮化铝（AlN）单晶作为一种宽禁带半导体材料，具有超宽禁带宽度（约6.2eV）、高临界击穿场强、高热导率及优异的深紫外光透过性等突出特性，在深紫外光电器件、高功率高频电子器件及声表面波器件等领域具有广阔的应用前景。随着第三代半导体产业的快速发展，氮化铝单晶抛光片作为外延生长的关键衬底材料，其产业化进程不断加速，对产品标准化提出了迫切需求。本标准（GB/T47097-2026）规定了氮化铝单晶抛光片的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及质量证明书等内容，适用于以物理气相传输法（PVT）等方法制备的氮化铝单晶抛光片。本标准的制定与实施，将有效规范氮化铝单晶抛光片的生产与流通，统一产品性能评价体系，促进上下游产业协同发展，为我国宽禁带半导体材料领域的标准化建设提供重要支撑。本标准于2026年8月1日正式实施。

关键词：氮化铝单晶抛光片；宽禁带半导体；标准化；衬底材料；物理气相传输法；深紫外光电器件

Keywords:Polishedmonocrystallinealuminumnitridewafers;Widebandgapsemicond