先进封装系列报告二：TCB确定性放量，混合键合平台化打开第二成长曲线.docxVIP

TCB确定性放量，混合键合平台化打开第

二成长曲线

■先进封装系列报告二

本报告导读：

先进封装驱动键合设备的放量与升级，短期受HBM扩产和GPU/ASIC需求驱动，热压键合设备(TCB)是确定性最高的设备环节之一；未来随着HBM的升级和3DLogic芯片需求的增长，混合键合设备(HB)有望在高端场景不断渗透。

投资要点：

OAI/HPC推动先进封装资本开支向中后道设备传导，TCB设备是当前确定性最高的设备环节之一。我们认为，AI/HPC推动GPU/ASIC和HBM的需求扩张，随着HBM堆叠层数提升和2.5D/3D封装的渗透率提升，传统倒装封装在互连精度、翘曲控制及超微间距互连方面面临约束，TCB凭借高精度对准及温度、压力可控等优势成为HBM的主流方案。而Pitch间距的缩小也将推动TCB设备部分向FluxlessTCB迁移，目前FluxlessTCB已在逻辑领域获得订单，存储厂商已开始进行HBM4e相关验证；

混合键合具备高互连密度、低功耗及低热阻优势，随着HBM与3DLogic升级，有望成为核心技术方向。尽管混合键合前期需投入大量成本，但其所带来的互连密度、带宽密度和能效方面具备明显优势，且依靠规模效应，HB的单互连成本亦有望显著低于TCB。我们认为，HBM4e/