2026第三代半导体器件发展路径与功率电子市场增长潜力报告
目录
TOC\o1-3\h\z\u摘要 4
一、第三代半导体器件发展概述与2026年展望 6
1.1第三代半导体材料(SiC、GaN等)的核心特性与物理优势 6
1.22026年技术成熟度曲线与商业化应用拐点分析 9
1.3相比于第一、二代半导体的替代逻辑与性能边界突破 13
二、SiC(碳化硅)功率器件技术路径与产业化进展 17
2.16英寸向8英寸晶圆制造工艺的演进与良率挑战 17
2.2MOSFET与SBD器件结构优化及高温高压性能提升 20
2.3国产SiC衬底
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