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薄膜材料试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分）

1.薄膜生长过程中，从岛状生长向层状生长转变的主要条件是？

A.基底温度升高

B.沉积速率降低

C.原子扩散能力增强

D.薄膜厚度增加

2.下列技术中，属于物理气相沉积（PVD）的是？

A.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）

B.直流溅射

C.低压化学气相沉积（LPCVD）

D.热化学气相沉积（TCVD）

3.磁控溅射技术中，“靶中毒”现象主要发生在？

A.溅射气体为纯氩气时

B.反应气体比例过高时

C.基底温度低于室温时

D.靶功率低于100W时

4.薄膜的内应力主要包括？

A.热应力和生长应力

B.机械应力和电学应力

C.光学应力和磁学应力

D.附着应力和环境应力

5.原子层沉积（ALD）技术的核心特点是？

A.沉积速率快，适合大批量生产

B.逐层生长，保形性好，厚度控制精确

C.设备简单，成本低廉

D.适合制备高熔点金属薄膜

6.常用于测量薄膜厚度的非破坏性表征方法是？

A.扫描电子显微镜（SEM）

B.X射线衍射（XRD）

C.椭偏仪

D