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电子行业深度报告

AI算力驱动，硅电容乘势而起

2026年08月

01

日

增持（维持）

投资要点

n硅电容：以半导体工艺重塑被动元件性能边界。硅电容以单晶硅为衬底，通过薄膜沉积、光刻与深硅刻蚀等半导体工艺制造，在高频、高温、超薄及高可靠性场景中具备显著优势。产业内主要有平面（Planar）、深沟槽（DTC）和过孔集成（VIC）三种硅电容路线。平面结构工艺最成熟，基于电极板形成电容，结构简单，容值密度有限，厚度常规，用于传统或低端场景。DTC工艺成熟，通过刻蚀高纵横比深沟槽并在侧壁沉积介质及电极材料，大幅增加有效面积，容值密度高，厚度不足40μm，用于AI服务器、高速光模块等高性能主流应用。VIC产业化处于导入加速期，容值密度更高，具有进一步减薄和集成潜力，更适用于GPU近芯片供电及高端先进封装。MLCC与硅电容是互补分工而非替代关系：MLCC以低成本、大容量主导板级通用滤波稳压；硅电容以超低ESL、超薄、高频稳定等优势，专攻封装内部近die去耦等高端场景。尤其在AI服务器中，板级MLCC受寄生电感限制，硅电容紧贴芯片保障封装级电源完整性，两者层级协同，分别满足通用与极致需求。

nAI产业趋势驱动，硅电容有望迎来广阔增长空间。1）AI芯片/HBM封装：硅电容以低于10pH的E