《氮化镓HEMT器件研究进展概述》1000字.docVIP

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氮化镓HEMT器件研究进展概述

1.1氮化镓器件研究背景与意义

相对于第一代锗与硅单晶半导体，以及第二代掺杂工程砷化镓半导体，第三代能带工程GaN半导体具有更大的输出功率、更好的频率特性、更高的瞬时带宽、更高的可靠性和热导率等优越性，能颠覆性提高5G射频芯片，特别是5G毫米波芯片的性能，更好地激发5G智能物联网（Ai+IoT）在超大信息容量、极低网络延迟，以及海量数据互连网络特性，打通新一代移动信息技术产业链上下游实现自主可控可持续性发展，对国民经济、国防安全、国际竞争、社会民生等领域均具有重要战略意义。

1.2氮化镓HEMT器件研究进展

自1993年首个GaNHEMT器件被Khan等人公开报道以来[1]，GaNHENT器件的研究受到了广泛关注，在器件工艺、器件机理、模型等方面的研究一直是国内外微波领域学术界与工业界的热点话题。基于GaNHEMT的功率放大器(PAs)与GaAs或InP放大器相比，具有显著更高的输出功率和功率密度[2]。

纵观GaNHEMT器件发展历程，初期由于蓝宝石材料低成本、易于获得、表面质量较优等特点，器件大多在蓝宝石衬底上外延生长得到。随着材料技术的不断发展与工艺的进步，当前GaNHEMT器件的衬底材料主要分为蓝宝石(Sapphire)、碳化硅(SiC)、硅(Si)、氮化镓(GaN)、金刚石(dimond)五种，其特性由表1列出[3]。