2025年3nmFinFET制程关键工艺参数控制半导体芯片制造工艺工程师考核试卷.docVIP

2025年3nmFinFET制程关键工艺参数控制半导体芯片制造工艺工程师考核试卷

一、单项选择题（每题1分，共30题）

1.以下哪项不是3nmFinFET制程的关键工艺参数？

A.沉积温度

B.光刻分辨率

C.晶圆平整度

D.材料纯度

2.在3nmFinFET制程中，以下哪种材料常用于栅极介质？

A.SiO2

B.HfO2

C.Si3N4

D.Al2O3

3.以下哪项工艺步骤对FinFET的鳍片形成至关重要？

A.蒸发

B.刻蚀

C.沉积

D.掺杂

4.在3nmFinFET制程中，以下哪种技术常用于提高光刻分辨率？

A.EUV光刻

B.i-line光刻

C.KrF光刻

D.ArF光刻

5.以下