高纯金属有机前驱体：原子级沉积需求加速，高纯金属有机前驱体进入材料升级与全球供应链重构期.pdfVIP

全球市场研究报告

高纯金属有机前驱体是指用于半导体及先进电子器件薄膜沉积的电子级金属有机化合物，通常由

铝、铪、锆、钛、钌、钴、钽、镓、铟等目标金属与烷基、酰胺、亚胺、环戊二烯基、醇盐或其他有机

配体形成具有可控挥发性和反应活性的分子体系。产品通常通过高纯合成、精馏、升华、重结晶及超痕

量杂质控制获得，并以液体、固体或专用容器封装形式供应。核心性能包括电子级纯度、低金属杂质和

颗粒、适宜蒸气压、热稳定性、洁净分解特性以及批次一致性，主要用于ALD、CVD、MOCVD等沉积

工艺，实现高介电常数薄膜、金属电极、栅极、阻挡层、互连层和化合物半导体外延层的精确形成。

根据LPInformation（路亿市场策略）调研整理，2025年全球高纯金属有机前驱体市场规模约为

10.20亿美元，2026年预计达到约11.15亿美元；预计到2032年市场规模将达到约18.91亿美元，

2026–2032年期间复合增长率约为9.20%。上述规模主要覆盖用于半导体、化合物半导体及相关先进

电子器件ALD、CVD、MOCVD薄膜沉积的电子级高纯金属有机前驱体。从需求结构看，先进逻辑向GAA、

背面供电和更复杂金属互连演进，DRAM/HBM对高介电常数电容和金属电极的需求增加，3DNAND持

续向高层数和高深宽比结构发展