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离子注入工艺专业试题及详细答案

适用范围：半导体制造、微电子工艺、晶圆加工从业人员及实训考核

考试时长：90分钟

满分：100分

一、填空题（每空2分，共20分）

1、离子注入是利用________将杂质离子加速，轰击晶圆表面，使杂质原子进入半导体衬底的掺杂工艺。

2、离子注入工艺中，决定杂质注入深度的核心参数是________，决定掺杂浓度的核心参数是________。

3、半导体掺杂中，常见的N型注入杂质为磷、砷，P型注入杂质主要为________。

4、离子注入过程中，高能离子与衬底原子碰撞会造成晶格损伤，这类缺陷统称为________。

5、离子注入后必须进行________工艺，用于修复晶格损伤、激活注入的杂质离子。

6、束流强度的单位是________，其数值大小直接决定晶圆的掺杂速率。

7、为避免注入过程中晶圆表面电荷积累产生打火、击穿问题，设备通常配备________装置。

8、离子注入的两大核心优势是掺杂精度高和________，可实现选择性区域精准掺杂。

9、________效应是指高能离子在衬底中发生横向扩散，导致注入图形边缘超出光刻掩膜边界的现象。

二、单项选择题（每题3分，共30分）

1、相比于高温扩散掺杂，离子注入工艺最突出的优点是（）

A、工艺温度更高B、掺杂浓度和结深可控性强C、生产成本更低D、设备结构更简单

2、以下杂质中，最适合