第三代半导体配套高压玻璃釉电阻器高频寄生参数演化规律与宽禁带器件协同设计优化策略
目录
TOC\o1-3\h\z\u20512摘要 3
20468一、研究背景与问题诊断 6
17751.1第三代半导体产业高速发展带来的配套元件挑战 6
178621.2高压玻璃釉电阻器高频寄生参数对器件性能的影响现状 8
21391.3宽禁带功率器件高频化与寄生参数矛盾的痛点分析 11
1025二、高压玻璃釉电阻器高频寄生参数演化机制 13
176132.1寄生电感与寄生电容的物理来源及演化规律 13
116212.2高频工况下玻璃釉层介电特性与界面效
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