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苏州大学半导体工艺复习期末复习.pdf

苏州大学半导体工艺复习期末复习.pdf

    半导体工艺复习整理

    半导体工艺期末复习针对性总结

    第一部分：论述题

    1、集成电路的工艺集成：晶体生长（外延）、薄膜氧化、气相沉积、光刻、扩散、离子注

    入、刻蚀以及金属化等。

    ☆2、工艺目的：

    ①形成薄膜：化学反应，PVD，CVD，旋涂，电镀；

    ②光刻：实现图形的过渡转移；

    ③刻蚀：最后的图形转移；

    ④改变薄膜：注入，扩散，退火；

    3、单晶硅制备的方法：直拉法、磁控直拉技术、悬浮区熔法（FZ）。

    ☆4、直拉法的关键步骤以及优缺点

    （1）关键步骤：熔硅、引晶、收颈、放肩、等径生长、收晶

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