262K×1位动态RAM技术规格书5V供电，16引脚封装.pdfVIP

262,144位动态随机存取器

HYB

41256‑10/‑12/‑15

●

262,144×1位组织结构

●

行业16引脚

●

单+5V电源，±10%容差

‑

低功耗：‑

工作时最大358

mW

‑

待机时最大

28

mW

●

100

ns时间/200

ns周期时间

(HYB

41256‑10)

120

ns时间/

220

ns周期时间

(HYB

41256‑12)

150

ns时间/260

ns周期时间

(HYB

41256‑15)

●

所有输入和输出均兼容TTL

●

片上衬底偏置发生器

●

三态数据输出

‑

读、写、读‑修改‑写、RAS仅刷新、隐藏刷新

‑

通用

I/O能力，采用“提前写”操作

‑

页面模式读写、读写

●

256

次刷新周期，刷新周期为

4

毫秒

–

集成冗余设计以提高良品率

–

通过激

光链路激活

引脚配置

262,144-BitDynamicRAM

HYB41256-10/-12/-15

●262,144×1-bitorganization

●Industrystandard16pins

●Single+5Vsupply,±10%tolerance

-Lowpowerdissipation