CN119053152A eDRAM器件的形成方法 （杭州积海半导体有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119053152A

(43)申请公布日2024.11.29

(21)申请号202411495801.X

(22)申请日2024.10.25

(71)申请人杭州积海半导体有限公司

地址311225浙江省杭州市钱塘新区义蓬

街道江东大道3899号709-7号

(72)发明人杨雪李严尊谢文浩金磊源

张颂玉许祥李太申

(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务

所(普通合伙)31237

专利代理师顾丹丽

(51)Int.Cl.

H10B12/00(2023.01)

H01L21/762(2006.01)

H01L21/763(2006.01)