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化学机械抛光去除速率试验规范

1范围

本规范规定了半导体晶圆化学机械抛光（CMP）过程中材料去除速率测试的术语定义、试验原理、设备与材料要求、试验程序、数据处理方法、结果判定规则及试验报告要求。本规范适用于8英寸、12英寸硅基晶圆氧化层、金属层、低介电常数介质层等典型膜层的CMP去除速率测试，其他尺寸晶圆或特殊功能膜层的去除速率测试可参照本规范执行。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

SEMIM13-0308半导体晶圆化学机械抛光垫测试方法

SEMIG84-1108化学机械抛光浆料性能测试标准

GB/T26066-2010硅片表面薄膜厚度测试方法椭偏仪法

JJG632-2005接触式台阶仪检定规程

SEMIF127-0310晶圆表面粗糙度测量方法原子力显微镜法

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1化学机械抛光去除速率

在指定抛光工艺参数条件下，单位时间内晶圆表面被去除的材料厚度，常用单位为?/min或nm/min，是表征CMP工艺材料去除能力的核心参数。

3.2片内均匀性

同一晶圆表面不同测试点的去除速率最大值与最小值的差值与平均值的比值，用于表征材料去除的空间一致性，计算表达式为：WIWNU=