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半导体工艺半导体制造工艺试题库2答案

一、填空题（共15题，每空1分，共25分）

直拉法制备单晶硅的核心工艺步骤依次为：多晶硅熔化、引晶、缩颈、______、等径生长、______。

答案：放肩；收尾

硅片热氧化工艺中，干氧氧化的氧化层质量______（填“优于”或“劣于”）湿氧氧化，原因是干氧氧化生成的SiO?致密度高、缺陷少，但其氧化速率______（填“高于”或“低于”）湿氧氧化。

答案：优于；低于

光刻工艺的分辨率由瑞利判据决定，其表达式为R=______，其中k?为工艺因子，λ为曝光光源波长，NA为______。

答案：k?·λ/NA；投影透镜数值孔径

干法刻蚀中，衡量刻蚀工艺性能的三个核心指标分别为刻蚀速率、______、______。

答案：选择比；各向异性度

离子注入掺杂的核心参数包括注入剂量、______、注入角度，其中注入剂量主要决定掺杂的______，注入能量主要决定掺杂的结深。

答案：注入能量；浓度峰值

化学气相沉积（CVD）的三类主流工艺分别为常压CVD（APCVD）、______、______。

答案：低压CVD（LPCVD）；等离子体增强CVD（PECVD）

铜互连工艺中，为防止铜向硅和介质层中扩散，通常在铜与介质层之间沉积______和______构成的阻挡层结构。

答案：钽（Ta）；氮化钽（TaN）（顺序可换）

化学机械抛光（CMP）的两大核心作