Ⅲ族氮化物半导体材料极性的测定 透射电子显微镜法.pdfVIP

国家标准《Ⅲ族氮化物半导体材料极性的测定透射电子显微镜法》

编制说明（征求意见稿）

一、制定本标准的目的和意义

III族氮化物半导体材料主要包括GaN，AlN,InN以及上述三种材料的组合体系，如InGaN，

AlGaN,AlInGaN等。它们在光电子器件、微电子器件等方面有着重要的应用，是目前全球半

导体研究的前沿和热点。

极性是表征III族氮化物半导体晶面与极轴关系的重要物理量。目前表征III族氮化物半导

体材料极性的方法主要包括化学腐蚀法、会聚束电子衍射法（CBED）、原子分辨扫描透射电子

显微镜法。化学腐蚀法需配置专用化学试剂，对样品表面进行适度化学处理以显现特殊形貌，

再通过光学显微镜或扫描电子显微镜完成表面形貌检测。若化学处理操作不当，或材料导电类

型（掺杂状态）存在差异，腐蚀形貌的区分度会出现较大波动，同时该方法仅适用于材料表面

检测。会聚束电子衍射法表征极性需将会聚束电子衍射花样与图像模拟结果进行比对判定，当

前该方法一般仅适用于GaN,InN、AlN等材料，针对InGaN，AlGaN,AlInGaN等材料，难以

采集高质量CBED花样，且图像模拟过程复杂，结果不够直观。原子分辨扫描透射电子显微镜法

一般需对试样进行切割、磨抛与减薄处