企业管理-集成电路晶圆制造工艺流程 SOP.docx

会计实操文库PAGE1/NUMPAGES5

企业管理-集成电路晶圆制造工艺流程SOP

一、硅片制备

多晶硅原料提纯

采用化学气相沉积法（CVD）对多晶硅原料进行提纯，去除其中的杂质（如硼、磷等），得到高纯度多晶硅（纯度≥99.9999999%）。

提纯过程中严格控制反应温度、压力、气体流量等参数，确保多晶硅纯度符合要求。

单晶生长

将高纯度多晶硅放入石英坩埚中，在单晶炉内加热至熔融状态（约1410℃）。

采用直拉法（CZ法）或区熔法（FZ法）进行单晶生长。以直拉法为例，将籽晶浸入熔融硅中，通过精确控制籽晶旋转速度、坩埚旋转速度和拉速，使熔融硅沿籽晶结晶，形成单晶硅棒。

生长过程中