存算一体技术深度调研报告.pptxVIP

来源：S1/S5/S9/S11/S12（A/B级来源，口径分层并列）

对比维度

传统GPU/NPU+HBM

近存计算

数字存内计算

模拟存内计算

实现层级

逻辑与存储die分离

DRAMdie上嵌入计算单元

标准CMOS工艺，SRAM内嵌

新型器件，模拟阵列乘加

计算机制

数字计算，数据总线搬运

部分MAC在存储内部完成

乘法器+加法树，位线并行

模拟计算，欧姆定律求和

精度特点

支持FP32/FP16/INT8

精度与传统方案接近

接近数字方案，支持INT8

受噪声漂移影响，以INT8为主

工程成熟度

高度成熟，量产多年

已流片，尚未大规模量产

学术与产业demo活跃

原型验证为主，量产挑战大

典型适用场景

大模型训练、多算子推理

云端训练、大模型推理

端侧与边缘固定场景推理

低功耗、高密度边缘计算

主要瓶颈

带宽天花板

带宽天花板仍在

单元面积与成本

精度、稳定性与量产一致性

应用领域

需求特征

市场占比/规模

来源

智能终端与边缘设备

功耗敏感、需本地处理

出货量占63%，销售额约58.9%

S12/S13

数据中心加速

高吞吐、推理加速

销售额约55.5%，约5.27亿美元

S12

自动驾驶与智能座舱

实时性、安全性要求高

约19.3%（另一口径10.8%），同比+36.9%

S5/S13

消费电子（含AR