CN119521901A 一种HEMT驱动的365nm波长的近紫外双向光通信单片集成芯片及其制备方法 (华南师范大学).pdfVIP

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  • 2026-10-09 发布于重庆
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CN119521901A 一种HEMT驱动的365nm波长的近紫外双向光通信单片集成芯片及其制备方法 (华南师范大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119521901A

(43)申请公布日2025.02.25

(21)申请号202411443291.1H10H20/814(2025.01)

H10H20/816(2025.01)

(22)申请日2024.10.16

H10H20/841(2025.01)

(71)申请人华南师范大学

地址510631广东省广州市天河区中山大

道西55号

(72)发明人尹以安赵亚鑫莫淇予林静静

(74)专利代理机构广州专理知识产权代理事务

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