SJT 11972-2025 压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）平板陶瓷管壳标准立项发展报告.docxVIP

压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）平板陶瓷管壳标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:Press-packInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)FlatCeramicPackage

标准基本信息

|项目|内容|

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|标准编号|SJ/T11972-2025|

|标准名称|压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）平板陶瓷管壳|

|标准类别|电子行业标准|

|发布机构|中华人民共和国工业和信息化部|

|发布日期|2025年5月9日|

|实施日期|2025年8月1日|

|标准状态|现行|

|分类领域|半导体分立器件|

摘要

绝缘栅双极晶体管（IGBT）是电能变换与控制的核心器件，被誉为功率半导体领域的“CPU”，广泛应用于柔性直流输电、轨道交通、新能源发电及工业传动等国民经济关键领域。压接式IGBT采用平板陶瓷管壳封装，具有失效短路、双面散热、功率密度高等突出优势，是高压大容量功率器件的主流技术路线。管壳作为器件封装的关键部件，其材料性能、结构设计与制造质量直接决定器件的电气性能、散热能力与长期服役可靠性。长期以来，国内压接式IGBT平板陶瓷管壳缺乏统一技术规范，产品质量评价口径不一，制约了产业