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巴普洛夫联想记忆的忆阻神经网络电路的模拟分析案例

1.1遗忘忆阻器模型

1.1.1改进忆阻器的数学模型

一个带有阈值且具有遗忘效应的漂移扩散忆阻器模型。它的数学表达式如下:

（1.1）

（1.2）

(1.3)

(1.4)

(1.5)

上述公式中，M是忆阻值,Ron是最小忆阻值，Roff是最大忆阻值，w是掺杂区厚度，D是忆阻器的厚度，uv是氧空穴的漂移速率。除了这些通用的参数，还有两个状态参数x和s，它们都在[0,1]范围内。如式(4.4)所示，状态变量x是由漂移项和扩散项决定。漂移项l表示离子漂移的影响，此外该模型还有阈值特性，vt是阈值电压。当施加的电压的幅值超过vt，漂移项有值，否则其为0。扩散项表示Fick扩散和Soret扩散对状态变量x的影响，其中是衰减系数。k(i,x)是一个分段函数，用于限制x的取值范围。f(i,x)是一个窗函数。α和是参数，状态变量仅由漂移项决定。

该模型是二阶模型。与一