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2026年电子学微电子技术微电子技术试题及答案

一、选择题（每题2分，共30分）

1.关于本征半导体的描述，正确的是：

A.本征半导体中电子和空穴浓度相等

B.本征半导体中电子浓度大于空穴浓度

C.本征半导体中空穴浓度大于电子浓度

D.本征半导体中电子和空穴浓度不相等

2.PN结的反向电流主要来源于：

A.多数载流子的扩散运动

B.少数载流子的漂移运动

C.多数载流子的漂移运动

D.少数载流子的扩散运动

3.在MOSFET中，阈值电压主要受以下因素影响，除了：

A.栅氧化层厚度

B.衬底掺杂浓度

C.沟道长度

D.栅材料功函数

4.关于CMOS电路的优点，错误的是：

A.静态功耗低

B.噪声容限大

C.制造工艺复杂

D.集成度高

5.集成电路制造中，光刻工艺的主要目的是：

A.在硅片上形成图形

B.掺杂杂质

C.氧化硅片表面

D.沉积金属层

6.以下哪种器件属于双极型器件：

A.MOSFET

B.JFET

C.BJT

D.MESFET

7.集成电路中，隔离技术的主要目的是：

A.提高器件性能

B.防止器件之间的干扰

C.减小芯片面积

D.提高制造速