YST 1745-2025 分子束外延（MBE）用高纯铝源标准立项发展报告.docx

分子束外延（MBE）用高纯铝源标准立项发展报告

EnglishTitle:StandardizationDevelopmentReport:High-PurityAluminumSourceforMolecularBeamEpitaxy(MBE)

摘要

分子束外延是先进半导体材料原子级精确制备的核心技术，广泛服务于激光器、高电子迁移率晶体管、量子器件及功率电子等领域。高纯铝源作为III-V族化合物半导体外延生长的关键III族源材料，其纯度与杂质控制水平直接决定外延薄膜的电学、光学性能和器件可靠性。长期以来，我国MBE用高纯铝源缺乏统一的产品标准，产品质量参差不齐、验收依